株式会社 東北テクノアーチ TOHOKU TECHNO ARCH

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2012 Taipei Int' Invention Show & Technomart

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案件番号 案件の特長と発明名称 発 明 者
T08-098 1mm以下の空間分解能が可能
放射線用半導体2次元位置検出器及びそれを用いた放射線の2次元位置検出方法
石井 慶造、菊池 洋平
T07-052 物体(ビル、波面、生体等も対応可)の3D形状をリアルタイム、単眼で測定可能です
形状検知による3次元形状計測装置
山本 正樹、津留 俊英
T09-087 熱的安定性に優れた不揮発性メモリ
相変化材料および相変化型メモリ素子
須藤 祐司、小池 淳一、齊藤 雄太、鎌田 俊哉
T10-043 従来法では作製が困難な、卑金属・半金属のオープン型ナノポーラス材料が作製可能!
ナノポーラス材料
加藤 秀実、和田 武、湯葢 邦夫、井上 明久
T08-017 グラフェンを用いて、CMOSのモビリティ限界を打ち破るブレイクスルー技術
相補型論理ゲート装置
尾辻 泰一、佐野 栄一(北海道大学)
20000970 シリコン基板上に結晶性、組成が優れた多結晶酸化亜鉛半導体部材を形成可能です。
シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
羽賀 浩一
T09-123 Inの量を約50%削減しても、透明導電性や体積抵抗率を保持できます。
透明導電積層体付基板及びその製造方法
中村 崇、大塚 誠、レアンドロ ボイジン
T10-008 システムLSI内の通信方式として低電力で高い転送速度を達成
非同期プロトコル変換装置
羽生 貴弘、鬼沢 直哉
T09-212 @常圧焼結、A低温焼結(700℃〜900℃)が可能であり、従来より低コストでホウ化物が作れます。
Na―Si―B組成を有するホウ化物及びホウ化物反応焼結体
森戸 春彦、山根 久典
S11-001 MEMS・光導波路等の表面処理に革新形状維持しナノレベルで凹凸を無くします!
Si微細表面加工
金森義明
T08-080 フェライト磁石を用いながらも、希土類磁石並みの発電出力と効率を実現。安価な発電機が実現できます
発電装置
中村 健二、一ノ倉 理