窒化アルミニウム（ＡＬＮ）膜を有する基板

安価なサファイヤ基板上に、“超高品質”な窒化アルミニウム膜を作製可能！

概要

　紫外発光素子は、蛍光灯の代替、高密度ＤＶＤ、生化学用レーザ、光触媒による公害物質の分解、Ｈｅ－Ｃｄレーザ、水銀灯の代替など、次世代の光源として幅広く注目されている。この紫外発光素子は、ワイドギャップ半導体と呼ばれるＡｌＧａＮ系窒化物半導体からなり、サファイアなどの異種基板上に積層される。一方、サファイア上に成長したＡｌＮ膜には多数の貫通転位が存在し品質が悪いといった課題があった。 　本発明は、サファイア上に成長したＡｌＮ膜を有する基板をＮ_２／ＣＯ混合ガス中で熱処理して形成するといった簡単な方法でＡｌＮ膜の結晶性を飛躍的に向上させるものである。

効果・応用例

知的財産データ

知財関連番号　： 特許6206758 【日本】 特許9,614,124【米国】
発明者　　　　： 福山　博之、 三重大学 三宅　秀人
技術キーワード： 材料