超小型UVフォトダイオード

フィルターが不要なため、薄型化を実現し、光の減衰を抑え、高効率なUV(紫外線)センサーを実現

概要

　近年、ヘルスケアの分野において、日焼けやシミなどの予防に関する関心が高まりつつあり、スマートフォン等で紫外線が簡単に計測できれば、健康管理や美容医療への貢献が期待される。また、産業分野においても紫外線を扱う機器が増えており、紫外線を計測・センシングするニーズが高まりつつある。
　本技術は、今回、シミやしわの原因となるUV-Aから、日焼けの原因となるUV-Bまでを、シリコン半導体で計測することを実現した。これまでに190-1100nm の広光波長帯域で高い感度を有し、強い紫外光に長期間照射されたとしても性能劣化が起こらない高い耐光性を有するシリコンフォトダイオード(PD)技術を開発してきた。更に、このシリコンPD技術を応用して差分型の検出方 式を新たに導入し、可視光や近赤外光を含む背景光がある環境においても紫外線領域の光信号を選択的に効率よく検出する技術を実現した。
※UV-Cについても理論上実現可能(要相談)

実施例

応用分野

・半導体製造、殺菌・滅菌、医療、空気清浄、UV照明・照射、UV硬化、3Dプリンタ、等

知的財産データ

発明者　　　　： 須川　成利、黒田　理人
技術キーワード： エレクトロニクス、情報・通信（ハードウエア）