新硫化技術及び同技術で作製するn型SnS薄膜と太陽電池

・ 安全、低温成膜、不純物を含まない硫化技術を開発(硫黄プラズマ)
・ 同手法でn型SnS薄膜とそれを用いた太陽電池を開発

概要

　SnS(硫化スズ)を用いた薄膜太陽電池は以下特徴がある
・ Cd、Teのような有害元素を含まない
・ 安価な元素(Sn及びS)のみで構成される
(原料コストはシリコン系の1/7、CdTeの1/2、CIGSの1/14)
・ 2-3μmの厚さで光吸収が可能(シリコン系~500μm)
・ ホモp-n接合で変換効率25.3%が実現できると報告されている
しかしながら高効率のホモp-n接合を有するSnS太陽電池を実現するためには、技術的に作製出来なかったn型のSnS薄膜の実現が必要であった。
　本発明は今まで作製出来なかったn型SnS薄膜を硫黄プラズマを用いた新規硫化技術を用いて世界で初めて実現した。
このn型SnS薄膜を用いることで今後ホモ接合のSnS太陽電池を実現することが期待される。

性能・特徴等

応用例

・太陽電池、フォトディテクター
・新規硫化技術を用いた硫化物の作成(次ページ)

知的財産データ

知財関連番号　： PCT/JP2021/017400
発明者　　　　： 鈴木　一誓、川西　咲子、柳　博
技術キーワード： 無害、高効率、薄くて軽い、太陽電池、n型SnS、新硫化技術

背景

課題

本技術

実施例