層状半導体

精密な組成制御が生みだす次世代半導体素材を提供する

概要

　次世代の半導体材料に関する研究・開発が進められている。従来は、シリコンをベースとした材料がトランジスタなどに利用されてきたが、高性能化を求める産業上のニーズに応えるため、高集積化を進めた結果、ナノメートルオーダーの構造を要求されるに至っている。さらに最近では、二次元層状半導体の活用など、新素材の開発が活発化している。現状のデバイス特性向上をもたらす半導体特性が期待され、層状カルコゲナイドの活用に注目が集まっているが、デバイスプロセス上の課題やキャリア移動度の上限性能について十分でないため、既存プロセスに適合しやすい層状物質半導体による解決が求められていた。 　発明者らは、グラフェンに類似する層状半導体GeH等の作製プロセスにおいてGe基板上の汎用プロセスを適用しつつ、簡便な新手法により水素置換の制御と電気伝導特性が向上されうることを見出した。新手法により生みだされる二次元層状物質は次世代の半導体材料の候補物質として有効な特性を示すことが実証されている。

発明の詳細

応用例

・高移動度トランジスタ　
・半導体製造プロセス装置
・抗菌コーティング

関連文献

[1] 論文執筆中

知的財産データ

知財関連番号　： 特願2024-175672
発明者　　　　： 塚﨑　敦、寺田　吏、藤原　宏平
技術キーワード： 層状半導体、 高移動度、 トランジスタ、 組成制御、 GeH